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三星试产30nm MLC多层闪存企业级固态硬盘


MOPy

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三星电子今天宣布,已经开发出并开始试产基于MLC NAND多层闪存芯片的固态硬盘,专门面向企业级存储系统。三星这次使用了30nm级别制造工艺的MLC NAND闪存芯片,总容量有100GB、200GB、400GB三种规格,结合Toggle DDR存储界面、SATA 3Gbps传输界面,性能上可以接近甚至超越目前市场上使用SLC NAND单层闪存芯片的固态硬盘。

三星表示,这种新的MLC固态硬盘的随机读取指令处理速度高达43000 IOPS,写入方面也有11000 IOPS,相比于区区350 IOPS的15000转企业级机械硬盘读写速度分别高出120倍、30倍之多,同时性能功耗比也有后者的150倍,换句话说消耗同等能量的情况下可以多处理150倍的数据。

除此之外,三星还使用了端到端数据保护功能和高级数据加密算法,确保硬盘的可靠性和安全性,以满足企业级用户的特殊需要。

三星计划下个月起批量投产这种新型MLC NAND固态硬盘并向客户供货。

Gartner的调研数据显示,2009年全球服务器和企业级固态硬盘出货量仅为32.4万块,2014年有望猛增至630万块,同时收入从4.85亿美元增至36亿美元。

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