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三星公司宣布完成准30nm制程DDR4内存的开发工作


MOPy

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韩国三星电子公司宣布已经完成使用准30nm级别制程(30-39nm之间)DDR4内存模组的开发。目前DDR4内存标准尚未最后成型,不过三星的 DDR4产品在1.2V工作电压下可达到2.133Gb/s的数据传输率。相比之下,DDR3内存的工作电压则需要在1.35-1.5V的工作电压下才可 以达到1.6Gb/s的数据传输率。

按三星自己的话说,如果把这种1.2V电压的DDR4内存使用在笔记本上,那么相比1.5V工作电压的DDR3内存,可省电40%左右。

参考图:传统堆挽(Push-Pull)和POD输入/输出技术的区别

这种内存使用了一种被称为准漏极开路(POD)的技术,这种技术在GDDR3/GDDR4显存上曾有使用,在读写内存数据时,这种技术可以比DDR3内存的工作电流减小一半左右。不仅如此,由于采用了新的电路架构设计,三星这种DDR4内存最高的数据传输率可高达3.2Gbps,相比之下,DDR3内存仅有1.6Gbps,DDR2则仅800Mbps。上个月月底,三星曾将一款1.2V 2GB容量的DDR4 unbuffered双列直插内存条样品送给了某家内存控制器厂商进行样品测试。

三星目前正计划与多家服务器厂商合作,以尽快在今年下半年完成DDR4 JEDEC标准的制定工作。

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