MOPy 发表于 July 17, 2013 举报 Share 发表于 July 17, 2013 闪存行业的制程竞赛又到达了另一个里程碑。镁光表示,该公司已经开始样产业内最小的128Gb(16GB)MLC闪存芯片。该芯片采用16nm的制程技术,比该公司的20nm工艺更加精细。镁光声称,对于任何样产的半导体装置来说,该16nm制程工艺是"最先进的"。该公司计划在下一季度将16nm 128Gb的芯片带入量产(full production)阶段,当然,该芯片也将在明年推出的全新SSD产品家族中露面。 预计该16nm 128Gb芯片会覆盖USB驱动器、闪存卡、平板、智能机和数据中心SSD等产品。 因为更精细的制程,能够让相同的硅片出产更多的成品。转向16nm的128Gb(16GB)芯片,意味着零售端将出现更高容量/更低价格的固态硬盘,但是其速度可能明显比20nm的128Gb芯片要慢。 目前的8通道SSD控制器,每个通道可以连上4个NAND芯片,因此要实现峰值的性能,就需要32颗闪存芯片。搭建240-256GB的驱动器,只需要16颗128Gb的闪存。 引用 Link to comment 分享至其他网站 More sharing options...
Recommended Posts
Join the conversation
You can post now and register later. If you have an account, sign in now to post with your account.